Mosfet, Metal Oxide Semicomductor Field Effect Transistor kelimelerinin kısaltılması, türkçesi ilede metal oksit yarı iletken alan etkili transistör anlamına gelmektedir. Gate ucu ile kanal arası oksit tabakalarıyla yalıtılmış fet’lere mosfet denir. Elektronik komponent çeşitleri arasında sıklıkla kullanılır.
Mosfetler, JFET transistörler gibi üç bacağa sahiptir.
Bu bacaklar;
- G - Gate, normal transistörün base bacağıdır
- S - Source, kaynak
- D - Drain, normal transistörün kollektörüdür
Mosfetlerde G bacağı ile kanal bölgesi ( Source ve Drain bacakları arası ) arasına silisyum nitrat ve silisyum oksit ile yalıtım yapılmıştır. Metal oksit tabaka çok ince olduğundan statik elektriğe karşı çok hassatır. Bu
sebepten dolayı mosfetleri kullanırken ve saklerken statik elektriğe dikkat edilmesi gerekmektedir. Lehim yapılırken kesinlikle topraklı havya tercih etmeli ve düşük güçte kullanmalıyız.
sebepten dolayı mosfetleri kullanırken ve saklerken statik elektriğe dikkat edilmesi gerekmektedir. Lehim yapılırken kesinlikle topraklı havya tercih etmeli ve düşük güçte kullanmalıyız.
Azaltan Kanallı ( Depletion, Deplasyon ) mosfet'ler
Kanal bölgesinde elektron ya da oyuk azaltma ilkesine göre çalışan elemandır. Azaltan kanallı mosfet’lerde G ucuna uygulanan gerilimin değeri 0V iken D-S arasından bir miktar akım (I DSS ) geçişi olmaktadır. Gate ucuna uygulanan gerilim pozitif yönde yükseltildiğinde Drain-Source arasından geçen akım daha fazla artmakta, Gate ucuna uygulanan gerilim negatif yönde yükseltildiğinde ise Drain-Source arasından geçen akım azalmaktadır.
Azaltan Kanallı MOSFET Tipleri
1 - N kanallı azaltan MOSFET'ler:
Bunlarda akım D’den S’ye, N tipi maddenin içinden geçer.
2 - P tipi azaltan kanallı MOSFET'ler:
Bunların yapısı N kanallıya benzer. Akım Source’den Drain’ye doğru geçer.
Çoğaltan Kanallı ( Enhancement )
Mostfet'ler Kanal bölgesinde elektron ya da oyuk çoğaltma ilkesine göre çalışan devre elemanlarıdır. Bu tip mosfet'lerde Gate ucuna gerilim uygulanmadığı sürece Drain-Source arasında akım geçişi olmamaktadır.
Çoğaltan kanallı Mosfet tipleri
1 - N Kanallı Çoğaltan Mosfet'ler
Şekil 12.8'de yapısı verilen bu tip Mosfet lerde gövde olarak P tipi yarı iletken kullanılmıştır. Gövdenin iki ayrı kısmına iki adet N tipi madde yerleştirilmiş ve bunlardan Drain-Source uçları çıkarılmıştır. N maddelerinin üst yüzey aralığına gelecek biçimde yerleştirilen Gate ucu çok ince bir silisyum oksit ve silisyum nitrat tabakasıyla diğer uçlardan yalıtılmıştır. Bu tip Mosfet lerde U Gate gerilimi 0 V tan itibaren pozitif yönde artırılacak olursa P tipi maddenin birleşim yüzeyine yakın olan kısmında eksi (-) yüklü elektronlar toplanır. Bu bölgede biriken eksi (-) yükler ise Drain-Source arasında akım geçişinin başlamasına yol açan kanal görevini üstlenir.
2 - P Kanallı Çoğaltan Mosfet'ler
P kanallı Mosfet ler N kanallı Mosfet lere benzer. Sadece akım taşıyıcı olarak artı yüklü oyuklar görev yapar. Bu tip Mosfet lerde de Gate’ye uygulanan gerilim 0 V iken Drain-Source arasından akım geçişi olmaz. Gate ucuna uygulanan gerilim negatif yönde artırılınca P tipi maddenin birleşim yüzeyine yakın olan kısmında artı (+) yüklü oyuklar toplanır. Ve bu bölgede biriken artı (+) yüklü oyuklar Drain-Source arasında akım geçişinin başlamasına yol açarak kanal görevini üstlenir.
